IGBT
(あいじーびーてぃー)
IGBT

分類: 一般用語

説明:
Insulated Gate Bipolar Transistorの略で 絶縁ゲート型のバイポーラトランジスタを示す。
IGBTは、入力部がMOS構造で出力部がバイポーラ構造のパワー用トランジスタであり、高耐圧・大電流に適した半導体のため、少ないドライブ電力で高電力を制御可能。

備考:
実用的なスイッチング周波数は10〜20kHzと高いため、可聴周波数領域の磁気騒音が低く、200Vおよび400Vの低騒音インバータに使用されている。